Зона равноосных кристаллов
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника
Предмет
Материаловедение
👍 Проверено
Автор24
средняя длина переноса неравновесных носителей заряда в полупроводнике электрическим полем за время, прошедшее с момента их возбуждения до рекомбинации.
Еще термины по предмету «Материаловедение»
Полистирол; ПС
полимер стирола.
Прессовочная трещина, расслой
трещина в прессовке, возникающая в процессе прессования порошка.
- Неравновесные носители заряда полупроводника
- Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника
- Биполярная диффузия неравновесных носителей заряда полупроводника
- Диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника
- Объемное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника
- Поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника
- Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника
- Генерация носителей заряда полупроводника
- Захват носителя заряда полупроводника
- Неосновные носители заряда полупроводника
- Освобождение носителя заряда полупроводника
- Основные носители заряда полупроводника
- Равновесные носители заряда полупроводника
- Рекомбинация носителей заряда полупроводника
- Накопление неравновесных носителей заряда в базе
- Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе
- Носитель заряда
- Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника
- Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника
- Поверхностная рекомбинация носителей заряда полупроводника
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек