Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
уменьшение концентрации и величины зарядов, образованные неравновесными носителями заряда в базе в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
мощность, подводимая к излучателю лазера.