Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
величина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда вследствие их рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника.
Данные ловушки представляют собой энергетические уровни захвата носителей зарядов в запрещенной зоне...
полупроводников или диэлектриков....
Самой важной характеристикой электретов является эффективная поверхностная плотность зарядов, которая...
то есть время уменьшения заряда в определенное количество раз....
Третий важный параметр - время жизни электрета или промежуток времени, в течении которого электрет сохраняет
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.