Зона равноосных кристаллов
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
нейтрализация пары электрон проводимости - дырка проводимости.
в собственном полупроводнике при установленной температуре....
заряда....
Генерация носителей заряда и рекомбинация
Генерация носителей заряда представляет собой процесс образования...
свободных носителей в полупроводниках в условиях различных внешних воздействий....
Рекомбинация представляет собой процесс возвращения свободных носителей заряда в связанное состояние.
(равный абсолютному значению заряда электрона)....
В результате этого ковалентная связь в одном атоме восстановится (рекомбинация), а в соседнем разрушится...
ток создается благодаря одновременным переносам зарядов обоих знаков....
электронами атомов примеси, что способствует перемещению дырок по решетке, представляя собой основные носители...
заряда.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.