Зона равноосных кристаллов
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
Поверхностная рекомбинация носителей заряда полупроводника
Предмет
Материаловедение
Разместил
🤓 nikita.chistyakov.1985
👍 Проверено Автор24
рекомбинация носителей заряда на поверхностных дефектах полупроводника.
Научные статьи на тему «Поверхностная рекомбинация носителей заряда полупроводника»
Электреты
Гомозаряд обусловлен процессом инжекции из электродов в диэлектрик носителей зарядов, а также локализацией...
их на центры захвата или рекомбинации дырок и электронов....
Данные ловушки представляют собой энергетические уровни захвата носителей зарядов в запрещенной зоне...
полупроводников или диэлектриков....
Самой важной характеристикой электретов является эффективная поверхностная плотность зарядов, которая
Статья от экспертов
Исследование рекомбинационных процессов в полупроводниках спектральным методом
Предлагается способ измерения объемного времени жизни и скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в полупроводниках на основании исследования спектрального распределения фазового сдвига сигнала фотопроводимости, выделенного при СВЧ смещении относительно гармонически модулированного возбуждающего излучения. Приводится функциональная схема измерительной установки, результаты измерения на образцах кремниевых структур.
Creative Commons
Научный журнал
Бесконтактный лазерный контроль электрофизических параметров полупроводниковых слоев
Предложены бесконтактные неразрушающие лазерно-интерферометрические методы измерения целого ряда электрофизических параметров полупроводниковых и диэлектрических слоев. Это время жизни носителей заряда, причем раздельно электронов и дырок; параметры центров рекомбинации, а именно их концентрация и сечения захвата; объемное время жизни и скорость поверхностной рекомбинации, а также диффузионная длина носителей заряда. Методы основаны на интерференционно-абсорбционном взаимодействии в полупроводнике двух различающихся по длине волны лазерных излучений. Коротковолновое инжектирующее излучение генерирует в материале дополнительные носители заряда, что приводит к изменению его оптических констант на длине волны другого длинноволнового зондирующего лазерного излучения и к модуляции этого излучения при прохождении им исследуемого образца материала. Разработаны средства реализации предложенных методов и способы обработки модуляционного сигнала для определения параметров исследуемых образцов...
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Материаловедение»
Многоэлектродный элемент
коррозионный элемент, имеющий более двух электродов.
Науглероживаниe (процесс)
увеличениe содержания углерода в поверхностном слоe металла (изделия).
- Рекомбинация носителей заряда полупроводника
- Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника
- Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника
- Фотонная рекомбинация носителей заряда полупроводника
- Генерация носителей заряда полупроводника
- Захват носителя заряда полупроводника
- Неосновные носители заряда полупроводника
- Неравновесные носители заряда полупроводника
- Освобождение носителя заряда полупроводника
- Основные носители заряда полупроводника
- Равновесные носители заряда полупроводника
- Поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника
- Носитель заряда
- Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника
- Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника
- Равновесная концентрация носителей заряда полупроводника
- Собственная концентрация носителей заряда полупроводника
- Эффективная масса носителя заряда полупроводника
- Биполярная диффузия неравновесных носителей заряда полупроводника
- Биполярная световая генерация носителей заряда полупроводника
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
