Закалка ступенчатая
охлаждение после нагрева производится в расплаве щелочей при температуре немного выше температуры начала образования мартенсита, но до начала распада аустенита, а затем в воде или на воздухе.
Равновесные носители заряда полупроводника
Предмет
Материаловедение
Разместил
🤓 morozova.sasha.2019
👍 Проверено Автор24
носители заряда, возникновение которых явилось следствием тепловых колебаний кристаллической решетки полупроводника в условиях термодинамического равновесия.
Научные статьи на тему «Равновесные носители заряда полупроводника»
Собственная и примесная проводимость полупроводников
Дырки являются носителями тока....
В результате этих процессов устанавливается равновесная концентрация дырок, эта концентрация одинакова...
Конечный результат явления такой же, как если бы носителями тока были не электроны, а положительно заряженные...
Истинными носителями тока в металлах и полупроводниках реальны электроны, дырки введены формально....
конец, получил избыток электронов, следовательно, имеет отрицательный заряд.
Статья от экспертов
Плотность состояний и равновесная концентрация свободных носителей заряда в двумерных полупроводниках
Получены выражения для плотности состояний и равновесной концентрации свободных носителей заряда в двумерных кристаллических структурах с полупроводниковым типом проводимости
Creative Commons
Научный журнал
Полупроводниковые материалы
В полупроводниковых материалах носителями зарядов, которые обусловливают электрическую проводимость,...
полупроводником....
Его электропроводность в равновесном состоянии обусловлена электронами проводимости и дырками проводимости...
У примесного полупроводника электропроводность определяется составом примесей в нем....
Проводимость электронного полупроводника, как правило, обусловлена электронами проводимости.
Статья от экспертов
Прогнозирование положения уровня Ферми в полупроводнике чувствительного слоя сенсора газа
Представлена модель расчета положения уровня Ферми относительно разрешенных зон в полупроводнике чувствительного слоя кондуктометрического сенсора в равновесном состоянии. Предложенная модель позволяет учесть присутствие в полупроводнике многозарядных дефектов кристаллической решетки, а также вырождение носителей заряда. Описанный в работе алгоритм может быть использован с целью прогнозирования характеристик кондуктометрических сенсоров газа, в том числе газовой чувствительности, а также уточнения исходных данных при проектировании структур экстремальной электроники и оптимизации режимов их функционирования.
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Материаловедение»
Запрещенная энергетическая зона
область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в кристалле.
Полистирол; ПС
полимер стирола.
- Равновесная концентрация носителей заряда полупроводника
- Генерация носителей заряда полупроводника
- Захват носителя заряда полупроводника
- Неосновные носители заряда полупроводника
- Неравновесные носители заряда полупроводника
- Освобождение носителя заряда полупроводника
- Основные носители заряда полупроводника
- Рекомбинация носителей заряда полупроводника
- Носитель заряда
- Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника
- Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника
- Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника
- Поверхностная рекомбинация носителей заряда полупроводника
- Собственная концентрация носителей заряда полупроводника
- Фотонная рекомбинация носителей заряда полупроводника
- Эффективная масса носителя заряда полупроводника
- Биполярная диффузия неравновесных носителей заряда полупроводника
- Биполярная световая генерация носителей заряда полупроводника
- Диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника
- Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
