исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
Дырки являются носителями тока....
Конечный результат явления такой же, как если бы носителями тока были не электроны, а положительно заряженные...
Истинными носителями тока в металлах и полупроводниках реальны электроны, дырки введены формально....
Атом бора может захватить недостающий четвертый электрон, из какого -- либо соседнего с ним места кристалла...
конец, получил избыток электронов, следовательно, имеет отрицательный заряд.
В работе приведены результаты исследования гистерезиса ВФХ структур металл-окисел-полупроводник. Показано, что свойства гистерезиса ВФХ, возникающего при облучении МОП-структур, определяются типом проводимости подложки и его удельным сопротивлением и обусловлены процессами захвата носителей заряда из разрешенных энергетических зон кремния на ловушечные центры в окисле.
Определение 2
Пространственный заряд – это нескомпенсированный, распределенный электрический заряд...
Гомозаряд обусловлен процессом инжекции из электродов в диэлектрик носителей зарядов, а также локализацией...
их на центры захвата или рекомбинации дырок и электронов....
Данные ловушки представляют собой энергетические уровни захвата носителей зарядов в запрещенной зоне...
полупроводников или диэлектриков.
Построена энергетическая диаграмма фоторезистора из n-CdSe, учитывающая наличие примесно-дефектных состояний в запрещенной зоне полупроводника. Получены аналитические выражения для дисперсий носителей заряда при наличии их прилипания на состояния в хвостах зон, показавшие экспоненциальный рост дисперсий электронов и дырок при приближении квазиуровней Ферми к краям разрешенных зон с ростом напряжения смещения и мощности фоновой засветки. Дисперсия носителей заряда за счет их генерации-рекомбинации центрами Шокли-Рида-Холла имеет максимум вблизи середины запрещенной зоны. Предполагается, что наличие минимума шумового напряжения фоторезистора из n-CdSe может быть обусловлено фотоиндуцированными изменениями параметров перечисленных электронных состояний при захвате неравновесных носителей заряда.
процесс, происходящий при нагреве деформированного металла до температуры 0,3Тпл, при котором уменьшается плотность дефектов и происходит их перераспределение внутри зёрен, что приводит к некоторому снижению внутренней энергии и небольшому (на 10–15 %) уменьшению твёрдости и прочности.
интервал времени от нанесения клея до соединения склеиваемых поверхностей в условиях окружающей среды; время открытой выдержки необходимо для удаления растворителя из полимерного клеевого слоя, заполнения клеем неровностей и пор, вытеснения из них воздуха и образования на склеиваемой поверхности слоя клея равномерной толщины.
рассеяние лучей или элементарных частиц кристаллами или молекулами жидкостей и газов.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве
