Справочник от Автор24
Найди автора для помощи в учебе
Найти автора
+2

Захват носителя заряда полупроводника

Предмет Материаловедение
👍 Проверено Автор24

исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.

Скачать

Научные статьи на тему «Захват носителя заряда полупроводника»

Собственная и примесная проводимость полупроводников

Дырки являются носителями тока....
Конечный результат явления такой же, как если бы носителями тока были не электроны, а положительно заряженные...
Истинными носителями тока в металлах и полупроводниках реальны электроны, дырки введены формально....
Атом бора может захватить недостающий четвертый электрон, из какого -- либо соседнего с ним места кристалла...
конец, получил избыток электронов, следовательно, имеет отрицательный заряд.

Источник Справочник
Категория Физика
Статья от экспертов

Влияние электрофизических параметров кремниевой подложки на гистерезис вольт-фарадных характеристик МОП-структур

В работе приведены результаты исследования гистерезиса ВФХ структур металл-окисел-полупроводник. Показано, что свойства гистерезиса ВФХ, возникающего при облучении МОП-структур, определяются типом проводимости подложки и его удельным сопротивлением и обусловлены процессами захвата носителей заряда из разрешенных энергетических зон кремния на ловушечные центры в окисле.

Источник Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики
Научный журнал

Электреты

Определение 2 Пространственный заряд – это нескомпенсированный, распределенный электрический заряд...
Гомозаряд обусловлен процессом инжекции из электродов в диэлектрик носителей зарядов, а также локализацией...
их на центры захвата или рекомбинации дырок и электронов....
Данные ловушки представляют собой энергетические уровни захвата носителей зарядов в запрещенной зоне...
полупроводников или диэлектриков.

Источник Справочник
Категория Электроника, электротехника, радиотехника
Статья от экспертов

Дисперсии носителей заряда в примесно-дефектных полупроводниках при совместном действии засветки и электрического поля

Построена энергетическая диаграмма фоторезистора из n-CdSe, учитывающая наличие примесно-дефектных состояний в запрещенной зоне полупроводника. Получены аналитические выражения для дисперсий носителей заряда при наличии их прилипания на состояния в хвостах зон, показавшие экспоненциальный рост дисперсий электронов и дырок при приближении квазиуровней Ферми к краям разрешенных зон с ростом напряжения смещения и мощности фоновой засветки. Дисперсия носителей заряда за счет их генерации-рекомбинации центрами Шокли-Рида-Холла имеет максимум вблизи середины запрещенной зоны. Предполагается, что наличие минимума шумового напряжения фоторезистора из n-CdSe может быть обусловлено фотоиндуцированными изменениями параметров перечисленных электронных состояний при захвате неравновесных носителей заряда.

Источник Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники
Научный журнал

Еще термины по предмету «Материаловедение»

Полярон

квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации.

🌟 Рекомендуем тебе
Смотреть больше терминов

Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!

  1. Напиши термин
  2. Выбери определение из предложенных или загрузи свое
  3. Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек