Воспроизводимость
степень близости друг к другу независимых результатов измерений, полученных одним и тем же методом на идентичных объектах испытаний в разных лабораториях, разными операторами, с использованием различного оборудования.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
Дырки являются носителями тока....
Конечный результат явления такой же, как если бы носителями тока были не электроны, а положительно заряженные...
Истинными носителями тока в металлах и полупроводниках реальны электроны, дырки введены формально....
Атом бора может захватить недостающий четвертый электрон, из какого -- либо соседнего с ним места кристалла...
конец, получил избыток электронов, следовательно, имеет отрицательный заряд.
В работе приведены результаты исследования гистерезиса ВФХ структур металл-окисел-полупроводник. Показано, что свойства гистерезиса ВФХ, возникающего при облучении МОП-структур, определяются типом проводимости подложки и его удельным сопротивлением и обусловлены процессами захвата носителей заряда из разрешенных энергетических зон кремния на ловушечные центры в окисле.
Определение 2
Пространственный заряд – это нескомпенсированный, распределенный электрический заряд...
Гомозаряд обусловлен процессом инжекции из электродов в диэлектрик носителей зарядов, а также локализацией...
их на центры захвата или рекомбинации дырок и электронов....
Данные ловушки представляют собой энергетические уровни захвата носителей зарядов в запрещенной зоне...
полупроводников или диэлектриков.
Построена энергетическая диаграмма фоторезистора из n-CdSe, учитывающая наличие примесно-дефектных состояний в запрещенной зоне полупроводника. Получены аналитические выражения для дисперсий носителей заряда при наличии их прилипания на состояния в хвостах зон, показавшие экспоненциальный рост дисперсий электронов и дырок при приближении квазиуровней Ферми к краям разрешенных зон с ростом напряжения смещения и мощности фоновой засветки. Дисперсия носителей заряда за счет их генерации-рекомбинации центрами Шокли-Рида-Холла имеет максимум вблизи середины запрещенной зоны. Предполагается, что наличие минимума шумового напряжения фоторезистора из n-CdSe может быть обусловлено фотоиндуцированными изменениями параметров перечисленных электронных состояний при захвате неравновесных носителей заряда.
степень близости друг к другу независимых результатов измерений, полученных одним и тем же методом на идентичных объектах испытаний в разных лабораториях, разными операторами, с использованием различного оборудования.
полимеризация, при которой мономер (газ, жидкость или твердое вещество) находится в однородной фазе без растворителя или дисперсионной среды.
пластмасса с использованием полимеров, в которых повторяющиеся структурные звенья в цепях относятся к эфирному типу и также присутствуют другие типы повторяющихся структурных звеньев, причем сложноэфирный компонент или компоненты представлены в наибольшем количестве.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве