Зона транскристаллизации
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
рекомбинация носителей заряда полупроводника, осуществляемая путем перехода свободного электрона в валентную зону.
Установлено, что модель межзонной излучательной рекомбинации в полупроводнике при биполярной инжекции носителей заряда, в которой скорость рекомбинации описывается произведением полных концентраций носителей заряда, не учитывает физически существующий при легировании разбаланс концентраций рекомбинирующих частиц.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
трещина в прессовке, возникающая в процессе прессования порошка.
полимер, полученный из двух или более видов мономера.