Электроны в полупроводниках n -- типа служат как основныеносителизаряда, дырки -- неосновными.... В данной ситуации дырки -- основныеносителизаряда, электроны -- неосновные.... Следовательно, сила тока основныхносителей растет.... носителейзаряда и не зависит от приложенной разности потенциалов.... Тогда ток основныхносителей почти равен 0. Ток неосновных носителей не изменяется.
Приводятся результаты исследований влияния статической и переменной упругой деформации на параметры структур типа металл диэлектрик полупроводник. Рассмотрены механизм образования пространственного заряда в полупроводнике и процесс дрейфа основных носителей заряда в структуре с учетом тензорезистивного и полевого эффектов. Показана возможность применения данных структур в качестве тензочувствительных элементов.
основныминосителямизаряда, хаотично перемещаются из области, где их больше, в ту область, где их меньше... Из-за этого на границе между областями почти отсутствуют подвижные носители электрического заряда, но... , а пограничная область n-полупроводника получает положительный заряд, который приносится дырками.... Таким образом на границе полупроводников образуются два слоя с пространственными зарядами с разными знаками... Существуют три основных способа формирования электронно-дырочного перехода:
вплавление,
диффузия примесей
Рассматривается процесс усиления теоретически предсказанных контактных электрогидродинамических волн (КЭГДВ), распространяющихся в двухслойной полупроводниковой структуре. Усиление КЭГДВ в системе производится дрейфовым током основных носителей заряда, протекающим в одном из слоев полупроводника. Обсуждаемые вопросы представляют интерес для создания СВЧ усилителей и генераторов терагерцевого диапазона
отношение относительного изменения начальной магнитной проницаемости к логарифму отношения интервалов времени, через которые измерялась начальная магнитная проницаемость при определенных климатических условиях.