Зона транскристаллизации
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
возникновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате возбуждения дефекта решетки полупроводника.
в собственном полупроводнике при установленной температуре....
Генерация носителей заряда и рекомбинация
Генерация носителей заряда представляет собой процесс образования...
свободных носителей в полупроводниках в условиях различных внешних воздействий....
Для появления свободных носителей необходимо затрачивать энергию, которая нужна для освобождения электронов...
Рекомбинация представляет собой процесс возвращения свободных носителей заряда в связанное состояние.
, некоторые электроны атомов кристаллической решетки приобретают энергию, которой достаточно для их освобождения...
(равный абсолютному значению заряда электрона)....
ток создается благодаря одновременным переносам зарядов обоих знаков....
электронами атомов примеси, что способствует перемещению дырок по решетке, представляя собой основные носители...
заряда.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
диэлектрик, содержащий электрические диполи, способные к переориентации во внешнем электрическом поле.