Зона равноосных кристаллов
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
возникновение в полупроводнике пары электрон проводимости - дырка проводимости в результате энергетического воздействия.
Генерация носителей заряда и рекомбинация
Генерация носителей заряда представляет собой процесс образования...
Вид генерации заряда определяется характером передачи энергии....
Тепловая генерация заряда происходит при увеличении температуры до определенного критического значения...
Ионизация или полевая генерация заряда происходит за счет энергии электрического поля....
При ударной генерации заряда энергия передается в виде кинетической энергии передвигающихся частиц.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.
квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации.