Ангстрем
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
Горячие носители заряда
Предмет
Материаловедение
Разместил
🤓 iaroslava.kondratova.17.3.1981
👍 Проверено Автор24
неравновесные носители заряда полупроводника, средняя энергия которых существенно превышает равновесную энергию, соответствующую температуре кристаллической решетки.
Научные статьи на тему «Горячие носители заряда»
Собственная и примесная проводимость полупроводников
Дырки являются носителями тока....
Истинными носителями тока в металлах и полупроводниках реальны электроны, дырки введены формально....
После установления равновесия горячий конец, который потерял электроны, имеет положительный заряд, холодный...
конец, получил избыток электронов, следовательно, имеет отрицательный заряд....
При этом горячий конец получает отрицательный заряд, холодный конец заряжается положительно.
Статья от экспертов
Nitrogen Concentration and Temperature Dependence of Ag/SiN/p+-Si Resistive Switching Structure
In this study, resistive switching behaviors of Ag/SiN/p+-Si device were investigated by adjusting nitrogen concentration and layer thickness. The device with a nitrogen concentration of 50% and a thickness of 10 nm has a typical bipolar resistive switching behavior with a low forming voltage (~ 4 V), a high on/off ratio (~ 102), an excellent endurance (>102) and a long retention time (>105 s). According to I–V characteristics analyses, electric transports in both a high resistance state and a low resistance state are dominated by hot electron emission which is caused by the electron trapping and detrapping through immovable nitrogen-related traps. The temperature dependence of a resistive switching behavior not only illustrates the existence and importance of the traps, but also discovers a new phenomenon of the transition about the polar of a resistive switching method. Surely, more efforts need to be made for deeper understanding of the carrier transport in SiN thin films.
Creative Commons
Научный журнал
Flash память: принцип действия и характеристики
Флэш-память устанавливают в небольшое по размерам цифровое оборудование и информационные носители, так...
Особенностью таких транзисторов является способность удерживать электроны, то есть заряд....
горячих электронов или использованием туннельного эффекта....
При использовании способа инжекции горячих электронов, на сток и управляющий затвор необходимо подать...
Для удаления заряда с плавающего затвора, то есть стирания информации из ячейки памяти, на управляющий
Статья от экспертов
Аналитическая модель разогрева электронного газа в тонкой базе биполярного транзистора на основе Ge, Si и GaAs при воздействии стационарного потока квантов высоких энергий
Предложена аналитическая модель разогрева электронного газа в тонкой базе биполярного транзистора при воздействии стационарного потока квантов высоких энергий. Теоретически показано, что зависимость средней энергии электронного газа на границе пространственного заряда коллекторного перехода и нейтральной области тонкой базы от ее толщины носит как монотонный, так и немонотонный характер, однозначно определяемый сочетанием величин приложенного напряжения к эмиттерному переходу транзистора и темпа генерации горячих радиационно-генерированных носителей заряда.
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Материаловедение»
Зона равноосных кристаллов
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
Индексы Лауэ
индексы отражающей плоскости n -порядка.
- Носитель заряда
- Генерация носителей заряда
- Инжекция носителей заряда
- Подвижность носителей заряда
- Экстракция носителей заряда
- Носитель (электрического) заряда
- Генерация носителей заряда полупроводника
- Генерация пары носителей заряда
- Захват носителя заряда полупроводника
- Коэффициент диффузии носителей заряда
- Неосновные носители заряда полупроводника
- Неравновесные носители заряда полупроводника
- Освобождение носителя заряда полупроводника
- Основные носители заряда полупроводника
- Равновесные носители заряда полупроводника
- Рекомбинация носителей заряда полупроводника
- Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника
- Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника
- Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника
- Поверхностная рекомбинация носителей заряда полупроводника
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
