Ангстрем
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в е раз.
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
напряжения, проявляющиеся в изделии в процессе сварочного нагрева и последующего охлаждения.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.