Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
количество воды, поглощаемое диэлектриком в водной среде.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
трещина в прессовке, возникающая в процессе прессования порошка.