Неосновные носители заряда полупроводника

Предмет Материаловедение

👍 Проверено Автор24

носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике меньше, чем концентрация основных носителей заряда.

Научные статьи на тему «Неосновные носители заряда полупроводника»

Полупроводники p и n типа, p-n переход

Электроны в полупроводниках n -- типа служат как основные носители заряда, дырки -- неосновными....
В данной ситуации дырки -- основные носители заряда, электроны -- неосновные....
носителей заряда и не зависит от приложенной разности потенциалов....
Тогда ток основных носителей почти равен 0. Ток неосновных носителей не изменяется....
При сильном легировании переход становится узким, концентрация неосновных носителей мала.

Статья от экспертов

Распределение неосновных носителей заряда после их диффузии от тонкого планарного источника в полубесконечном полупроводниковом материале с дефектами на поверхности

Методами математического моделирования рассмотрена задача диффузии неосновных носителей заряда (ННЗ), генерированных в полупроводнике широким электронным пучком. Изучено влияние дефектов на поверхности полупроводника на распределение ННЗ после их диффузии от тонкого планарного источника в полубесконечном полупроводнике $1$ . Расчеты проведены для различных материалов полупроводниковой электроники.

Creative Commons

Научный журнал

Биполярные транзисторы, полевые транзисторы, каскад на биполярном транзисторе

эмиттера и электрический ток неосновных носителей коллектора....
Ток неосновных носителей коллектора протекает через обратно смещенный переход коллектора и тем самым...
В транзисторах типа n-р-n электроны (основные носители заряда) инжектируются в область базы....
Некоторая часть электронов рекомбинирует с дырками (носители заряда в базе)....
В транзисторах со встроенным каналом у поверхности полупроводника при нулевом напряжении на затворе,

Статья от экспертов

ОБ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ХАНКЕЛЯ ПРИ МАТЕМАТИЧЕСКОМ МОДЕЛИРОВАНИИ КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В ОДНОРОДНОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ МАТЕРИАЛЕ

Показана возможность использования преобразования Ханкеля при решении нестационарного дифференциального уравнения тепломассопереноса и последующего описания спада интенсивности излучательной рекомбинации неравновесных неосновных носителей заряда (или экситонов), генерированных электронным зондом в однородной полупроводниковой мишени. Математическая модель рассматриваемого явления описывается уравнениями в частных производных. Сначала рассматривается модель стационарного облучения полупроводниковой мишени электронами и находится распределение генерированных неравновесных носителей в объёме полупроводника, затем решается нестационарное дифференциальное уравнение, описывающее изменение концентрации носителей после прекращения облучения. Для описания интенсивности катодолюминесцентного излучения используется модель линейной излучательной рекомбинации, согласно которой интенсивность считается пропорциональной количеству неравновесных носителей. Полученное выражение удобнее для практическ...

Creative Commons

Научный журнал

Еще термины по предмету «Материаловедение»

Дифракционный максимум

максимум интенсивности рассеянных рентгеновских луче.

Зеркало

изделие из прозрачного стекла, на поверхность которого последовательно нанесены отражающее металлическое и защитное лакокрасочное покрытия, характеризующееся высоким коэффициентом отражения света.

Полиэфиропласт

реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.

Смотреть больше терминов

Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!

Напиши термин
Выбери определение из предложенных или загрузи свое
Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек

Все самое важное и интересное в Telegram

Все сервисы Справочника в твоем телефоне! Просто напиши Боту, что ты ищешь и он быстро найдет нужную статью, лекцию или пособие для тебя!

Перейти в Telegram Bot