носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике меньше, чем концентрация основных носителей заряда.
Электроны в полупроводниках n -- типа служат как основные носители заряда, дырки -- неосновными....
В данной ситуации дырки -- основные носители заряда, электроны -- неосновные....
носителей заряда и не зависит от приложенной разности потенциалов....
Тогда ток основных носителей почти равен 0. Ток неосновных носителей не изменяется....
При сильном легировании переход становится узким, концентрация неосновных носителей мала.
Методами математического моделирования рассмотрена задача диффузии неосновных носителей заряда (ННЗ), генерированных в полупроводнике широким электронным пучком. Изучено влияние дефектов на поверхности полупроводника на распределение ННЗ после их диффузии от тонкого планарного источника в полубесконечном полупроводнике [1]. Расчеты проведены для различных материалов полупроводниковой электроники.
эмиттера и электрический ток неосновных носителей коллектора....
Ток неосновных носителей коллектора протекает через обратно смещенный переход коллектора и тем самым...
В транзисторах типа n-р-n электроны (основные носители заряда) инжектируются в область базы....
Некоторая часть электронов рекомбинирует с дырками (носители заряда в базе)....
В транзисторах со встроенным каналом у поверхности полупроводника при нулевом напряжении на затворе,
Показана возможность использования преобразования Ханкеля при решении нестационарного дифференциального уравнения тепломассопереноса и последующего описания спада интенсивности излучательной рекомбинации неравновесных неосновных носителей заряда (или экситонов), генерированных электронным зондом в однородной полупроводниковой мишени. Математическая модель рассматриваемого явления описывается уравнениями в частных производных. Сначала рассматривается модель стационарного облучения полупроводниковой мишени электронами и находится распределение генерированных неравновесных носителей в объёме полупроводника, затем решается нестационарное дифференциальное уравнение, описывающее изменение концентрации носителей после прекращения облучения. Для описания интенсивности катодолюминесцентного излучения используется модель линейной излучательной рекомбинации, согласно которой интенсивность считается пропорциональной количеству неравновесных носителей. Полученное выражение удобнее для практическ...
отношение относительного изменения начальной магнитной проницаемости к логарифму отношения интервалов времени, через которые измерялась начальная магнитная проницаемость при определенных климатических условиях.
коррозионный элемент, имеющий более двух электродов.
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве
