Водопоглощение диэлектрика
количество воды, поглощаемое диэлектриком в водной среде.
рекомбинация носителей заряда полупроводника, осуществляемая путем перехода свободного электрона в валентную зону.
Установлено, что модель межзонной излучательной рекомбинации в полупроводнике при биполярной инжекции носителей заряда, в которой скорость рекомбинации описывается произведением полных концентраций носителей заряда, не учитывает физически существующий при легировании разбаланс концентраций рекомбинирующих частиц.
количество воды, поглощаемое диэлектриком в водной среде.
трещины, возникшие в процессе чрезмерно быстрого охлаждения при закалке.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.