Зона проводимости полупроводника
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
рекомбинация носителей заряда полупроводника, осуществляемая путем перехода свободного электрона в валентную зону.
Установлено, что модель межзонной излучательной рекомбинации в полупроводнике при биполярной инжекции носителей заряда, в которой скорость рекомбинации описывается произведением полных концентраций носителей заряда, не учитывает физически существующий при легировании разбаланс концентраций рекомбинирующих частиц.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
химическоe соединениe элемента с кислородом.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне