Дифракция
рассеяние лучей или элементарных частиц кристаллами или молекулами жидкостей и газов.
избыток концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике над концентрацией равновесных носителей заряда.
Электроны в полупроводниках n -- типа служат как основные носители заряда, дырки -- неосновными....
В данной ситуации дырки -- основные носители заряда, электроны -- неосновные....
Следовательно, концентрация избыточных дырок в n- области и концентрация электронов в p- области уменьшается...
носителей заряда и не зависит от приложенной разности потенциалов....
У германия концентрация основных носителей больше, чем у кремния, больше их подвижность.
Продолжительность жизни носителей, представляющая собой время, в течении которого концентрация избыточных...
Длина диффузионного смещения, представляющая собой расстояние, на протяжении которого концентрация носителей...
Собственная концентрация носителей, представляющая собой концентрацию свободных электронов, а также дырок...
Генерация носителей заряда и рекомбинация
Генерация носителей заряда представляет собой процесс образования...
свободных носителей в полупроводниках в условиях различных внешних воздействий.
рассеяние лучей или элементарных частиц кристаллами или молекулами жидкостей и газов.
охлаждение после нагрева производится в расплаве щелочей при температуре немного выше температуры начала образования мартенсита, но до начала распада аустенита, а затем в воде или на воздухе.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).