Ангстрем
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
Эффективное сечение захвата носителя заряда полупроводника
Предмет
Материаловедение
👍 Проверено
Автор24
величина, имеющая размерность площади и обратная произведению концентрации носителей заряда данного типа в полупроводнике на средний путь, проходимый носителями от освобождения до захвата.
Еще термины по предмету «Материаловедение»
Зона равноосных кристаллов
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
Оже-микроскоп
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
- Захват носителя заряда полупроводника
- Эффективная масса носителя заряда полупроводника
- Генерация носителей заряда полупроводника
- Неосновные носители заряда полупроводника
- Неравновесные носители заряда полупроводника
- Освобождение носителя заряда полупроводника
- Основные носители заряда полупроводника
- Равновесные носители заряда полупроводника
- Рекомбинация носителей заряда полупроводника
- Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника
- Носитель заряда
- Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника
- Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника
- Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника
- Поверхностная рекомбинация носителей заряда полупроводника
- Равновесная концентрация носителей заряда полупроводника
- Собственная концентрация носителей заряда полупроводника
- Фотонная рекомбинация носителей заряда полупроводника
- Биполярная диффузия неравновесных носителей заряда полупроводника
- Биполярная световая генерация носителей заряда полупроводника
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек