Дифракционный максимум
максимум интенсивности рассеянных рентгеновских луче.
возникновение в полупроводнике в результате оптического возбуждения равного числа носителей зарядов обоих знаков.
максимум интенсивности рассеянных рентгеновских луче.
область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в кристалле.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.