Ангстрем
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
возникновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате возбуждения дефекта решетки полупроводника.
в собственном полупроводнике при установленной температуре....
Генерация носителей заряда и рекомбинация
Генерация носителей заряда представляет собой процесс образования...
свободных носителей в полупроводниках в условиях различных внешних воздействий....
Для появления свободных носителей необходимо затрачивать энергию, которая нужна для освобождения электронов...
Рекомбинация представляет собой процесс возвращения свободных носителей заряда в связанное состояние.
, некоторые электроны атомов кристаллической решетки приобретают энергию, которой достаточно для их освобождения...
(равный абсолютному значению заряда электрона)....
ток создается благодаря одновременным переносам зарядов обоих знаков....
электронами атомов примеси, что способствует перемещению дырок по решетке, представляя собой основные носители...
заряда.
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
клей пониженной плотности, вспенивающийся в процессе нанесения и/или отверждения, создавая пористую клеевую прослойку и заполняя пустоты.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне