Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
модель дифракционной структуры которой синтезирована в результате численного моделирования голографического процесса в схеме записи голограммы сфокусированного изображения.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
лампа, тело накала которой находится в колбе, наполненной смесью инертных газов, галогенов и их соединений.
геодезический прибор для определения длин линий без непосредственного откладывания мер длины вдоль измеряемых линий.