Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
реализованная на материальном носителе отражающего типа.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
лампа, тело накала которой находится в колбе, наполненной смесью инертных газов, галогенов и их соединений.
камера, содержащая в качестве радиатора газ гелий-3.