Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
модель дифракционной структуры которой синтезирована в результате моделирования безопорного процесса записи объектной волны, т. е. без добавления опорной волны.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
лазерное излучение, направленное в пространстве.
регистрирующий прибор для измерения зависимости диаметра зрачка от времени.