Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
модель дифракционной структуры которой синтезирована в результате численного моделирования голографического процесса в схеме с источником объектной волны и точечным источником опорной волны, расположенными в одной плоскости.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
геодезический дальномер, основанный на решении треугольника.
прибор для измерения освещенности.