Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
фазовая синтезированная голограмма с углом «блеска».
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
лазерное излучение, направленное в пространстве.
предел разрешения ЭОП при заданных освещенности и контрасте штриховой миры.