Зона транскристаллизации
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
Экстракция носителей заряда
Предмет
Материаловедение
👍 Проверено
Автор24
выведение носителя заряда из полупроводника.
Научные статьи на тему «Экстракция носителей заряда»
Неквазистатическая модель диода с учетом токов экстракции и рекомбинации неравновесных носителей заряда
Рассмотрена неквазистатическая компьютерная модель диода, реализованная в САПР на пользовательском уровне из квазистатических элементов и учитывающая все основные аспекты динамики неравновесных носителей заряда при переключении диода. Изложена методика экстракции всех значимых параметров данной модели. Показано высокое качество модели в отношении диодов с накоплением заряда, в том числе экспериментальных (в которых рекомбинационный ток обратного восстановления необычно велик).
Creative Commons
Научный журнал
Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс
Транзисторные структуры являются базовыми элементами интегральной схемотехники и часто используются для создания не только собственно транзисторов, но и диодов, резисторов, конденсаторов. Определение механизма возникновения импеданса индуктивного типа в полупроводниковых структурах является актуальной задачей, решение которой создаст предпосылки к разработке твердотельных аналогов катушек индуктивности. Цель работы – установить влияние экстракции неравновесных носителей заряда из базовой области на реактивный импеданс биполярного p–n–p-транзистора. Методом импедансной спектроскопии в интервале частот 20 Hz–30 MHz исследованы структуры на базе p–n–p-транзисторов КТ814Г производства ОАО «ИНТЕГРАЛ». Показано, что в транзисторных структурах возможно наблюдение «эффекта отрицательной ёмкости» (импеданс индуктивного типа). Установлено, что наиболее вероятной причиной возникновения импеданса индуктивного типа является накопление нескомпенсированного заряда дырок в базе, а на величину индук...
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Материаловедение»
Линейная скорость роста
скорость увеличения линейного размера кристалла.
Прессовочная трещина, расслой
трещина в прессовке, возникающая в процессе прессования порошка.
- Носитель заряда
- Генерация носителей заряда
- Горячие носители заряда
- Инжекция носителей заряда
- Подвижность носителей заряда
- Носитель (электрического) заряда
- Экстракция
- Генерация носителей заряда полупроводника
- Генерация пары носителей заряда
- Захват носителя заряда полупроводника
- Коэффициент диффузии носителей заряда
- Неосновные носители заряда полупроводника
- Неравновесные носители заряда полупроводника
- Освобождение носителя заряда полупроводника
- Основные носители заряда полупроводника
- Равновесные носители заряда полупроводника
- Рекомбинация носителей заряда полупроводника
- Электролитическая экстракция
- Экстракция (extraction)
- Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
