Оже-микроскоп
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
выведение носителя заряда из полупроводника.
Рассмотрена неквазистатическая компьютерная модель диода, реализованная в САПР на пользовательском уровне из квазистатических элементов и учитывающая все основные аспекты динамики неравновесных носителей заряда при переключении диода. Изложена методика экстракции всех значимых параметров данной модели. Показано высокое качество модели в отношении диодов с накоплением заряда, в том числе экспериментальных (в которых рекомбинационный ток обратного восстановления необычно велик).
Транзисторные структуры являются базовыми элементами интегральной схемотехники и часто используются для создания не только собственно транзисторов, но и диодов, резисторов, конденсаторов. Определение механизма возникновения импеданса индуктивного типа в полупроводниковых структурах является актуальной задачей, решение которой создаст предпосылки к разработке твердотельных аналогов катушек индуктивности. Цель работы – установить влияние экстракции неравновесных носителей заряда из базовой области на реактивный импеданс биполярного p–n–p-транзистора. Методом импедансной спектроскопии в интервале частот 20 Hz–30 MHz исследованы структуры на базе p–n–p-транзисторов КТ814Г производства ОАО «ИНТЕГРАЛ». Показано, что в транзисторных структурах возможно наблюдение «эффекта отрицательной ёмкости» (импеданс индуктивного типа). Установлено, что наиболее вероятной причиной возникновения импеданса индуктивного типа является накопление нескомпенсированного заряда дырок в базе, а на величину индук...
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.
материал, изготовленный из металлического порошка или из его смеси с неметаллическим порошком.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне