Захват носителя заряда полупроводника

Предмет Материаловедение

👍 Проверено Автор24

исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.

Научные статьи на тему «Захват носителя заряда полупроводника»

Собственная и примесная проводимость полупроводников

Дырки являются носителями тока....
Конечный результат явления такой же, как если бы носителями тока были не электроны, а положительно заряженные...
Истинными носителями тока в металлах и полупроводниках реальны электроны, дырки введены формально....
Атом бора может захватить недостающий четвертый электрон, из какого -- либо соседнего с ним места кристалла...
конец, получил избыток электронов, следовательно, имеет отрицательный заряд.

Статья от экспертов

Влияние электрофизических параметров кремниевой подложки на гистерезис вольт-фарадных характеристик МОП-структур

В работе приведены результаты исследования гистерезиса ВФХ структур металл-окисел-полупроводник. Показано, что свойства гистерезиса ВФХ, возникающего при облучении МОП-структур, определяются типом проводимости подложки и его удельным сопротивлением и обусловлены процессами захвата носителей заряда из разрешенных энергетических зон кремния на ловушечные центры в окисле.

Creative Commons

Научный журнал

Электреты

Определение 2 Пространственный заряд – это нескомпенсированный, распределенный электрический заряд...
Гомозаряд обусловлен процессом инжекции из электродов в диэлектрик носителей зарядов, а также локализацией...
их на центры захвата или рекомбинации дырок и электронов....
Данные ловушки представляют собой энергетические уровни захвата носителей зарядов в запрещенной зоне...
полупроводников или диэлектриков.

Статья от экспертов

Дисперсии носителей заряда в примесно-дефектных полупроводниках при совместном действии засветки и электрического поля

Построена энергетическая диаграмма фоторезистора из n-CdSe, учитывающая наличие примесно-дефектных состояний в запрещенной зоне полупроводника. Получены аналитические выражения для дисперсий носителей заряда при наличии их прилипания на состояния в хвостах зон, показавшие экспоненциальный рост дисперсий электронов и дырок при приближении квазиуровней Ферми к краям разрешенных зон с ростом напряжения смещения и мощности фоновой засветки. Дисперсия носителей заряда за счет их генерации-рекомбинации центрами Шокли-Рида-Холла имеет максимум вблизи середины запрещенной зоны. Предполагается, что наличие минимума шумового напряжения фоторезистора из n-CdSe может быть обусловлено фотоиндуцированными изменениями параметров перечисленных электронных состояний при захвате неравновесных носителей заряда.

Creative Commons

Научный журнал

Еще термины по предмету «Материаловедение»

Вспенивающийся клей

клей пониженной плотности, вспенивающийся в процессе нанесения и/или отверждения, создавая пористую клеевую прослойку и заполняя пустоты.

Имитатор платины

декоративный и ювелирный сплав цинка, содержащий 45% Сu и заменяющий платину в украшениях.

Имитатор серебра

дешевый ювелирный и декоративный сплав, содержащий 5% Ag, 5% Сu, Al - ост..

Смотреть больше терминов

Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!

Напиши термин
Выбери определение из предложенных или загрузи свое
Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек

Все самое важное и интересное в Telegram

Все сервисы Справочника в твоем телефоне! Просто напиши Боту, что ты ищешь и он быстро найдет нужную статью, лекцию или пособие для тебя!

Перейти в Telegram Bot