Ангстрем
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
примесный полупроводник, у которого примеси вследствие значительной концентрации образуют примесные энергетические зоны, которые сливаются с ближайшими энергетическими зонами кристалла, в результате чего образуется зонная структура, близкая к зонной структуре металлов (другое название полуметалл).
К полупроводникам относят большое количество неорганических веществ....
нуля полупроводник становится изолятором....
В полупроводниках ширина запрещенной зоны меньше, чем в диэлектриках....
Но у полупроводников существует и другой способ проводить ток....
Пример 2
Задание: Чему равна полная энергия электронного газа (W) вблизи абсолютного нуля температур (вырожденный
Настоящее сообщение посвящено выводу кинетического уравнения для носителей тока в размерно-квантованной яме полупроводника со сложной зонной структурой, состоящей из нескольких ветвей при наличии высокочастотного электрического поля.
В таком случае дырки в дырочном полупроводнике и электроны в электронном полупроводнике станут двигаться...
В этом случае, электроны в электронном полупроводнике и дырки в дырочном полупроводнике движутся в противоположные...
равно средней кинетической энергии равновесного электронного газа, что объяснимо тем, что в случае вырожденного...
Пример 2
Задание: Чему равен коэффициент Пельтье при температуре T=0 K (случай сильно вырожденного...
Решение:
В состоянии сильного вырождения (T=0 K) все квантовые состояния в зоне проводимости с энергией
Представлена модель расчета положения уровня Ферми относительно разрешенных зон в полупроводнике чувствительного слоя кондуктометрического сенсора в равновесном состоянии. Предложенная модель позволяет учесть присутствие в полупроводнике многозарядных дефектов кристаллической решетки, а также вырождение носителей заряда. Описанный в работе алгоритм может быть использован с целью прогнозирования характеристик кондуктометрических сенсоров газа, в том числе газовой чувствительности, а также уточнения исходных данных при проектировании структур экстремальной электроники и оптимизации режимов их функционирования.
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве