примесный полупроводник с донорной примесью.
Примеси, которые поставляют электроны в зону проводимости, называют донорами (донорными примесями)....
Дополнительные энергоуровни, при этом, называют донорными уровнями....
Полупроводники, имеющие донорные примеси называют электронными (полупроводниками n-типа)....
Следовательно, получается, что мышьяк является донорной примесью для кремния....
Ответ: Мышьяк -- донорная примесь в решетке кремния, бор -- акцепторная примесь для кремния.
В работе представлена идея управления прямыми и непрямыми переходами в полупроводниках, облучаемых внешним когерентным источником света. Мы предлагаем использовать активированную гетероструктурную геометрию материала, в котором заданное распределение донорно-акцепторных пар позволит контролировать плотность электрон-дырочных состояний. Обсуждается применение этого метода для лазерного охлаждения полупроводников.I
Эти уровни заполненные электронами называют донорными....
полупроводника....
После того как электроны переброшены в зону проводимости с донорных уровней, говорят, что в полупроводнике...
Полупроводники с донорной примесью называют электронными (донорными) или полупроводниками n-типа (negative...
p-n переход
p-n переход создают в естественном полупроводнике легированием донорными и акцепторными
По результатам количественного анализа барических и температурных зависимостей кинетических коэффициентов исследован примесный электронный спектр нелегированных объемных кристаллов арсенидов n -типа InAs, GaAs, CdSnAs2, CdGeAs2 и CdTe, ZnO. Выяснено, что в вышеперечисленных полупроводниках собственному дефекту вакансии в анионной подрешетке соответствует глубокий донорный центр. Определены положения уровней энергии относительно края зоны проводимости и коэффициенты давления энергетических зазоров между ними и соответствующим дном зоны проводимости. Наблюдается смещение уровней энергии глубоких донорных центров в глубь зоны проводимости с уменьшением ширины запрещенной зоны в вышеперечисленных полупроводниках. Зависимости коэффициента Холла и удельного электросопротивления от давления в nInAs и nCdSnAs2 подобны, что обусловлено наличием глубокого донорного центра, уровень энергии которого находится на сплошном спектре зоны проводимости в обоих соединениях, а различие в величинах давл...
отношение относительного изменения начальной магнитной проницаемости к логарифму отношения интервалов времени, через которые измерялась начальная магнитная проницаемость при определенных климатических условиях.
контраст на изображении, возникающий вследствие дифракции излучения.
декоративный и ювелирный сплав цинка, содержащий 45% Сu и заменяющий платину в украшениях.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве
