Запрещенная энергетическая зона
область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в кристалле.
примесный полупроводник, в котором в нормальных условиях концентрации электронов проводимости и дырок проводимости одинаковы.
область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в кристалле.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.