Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
примесный полупроводник, в котором в нормальных условиях концентрации электронов проводимости и дырок проводимости одинаковы.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
сложнолегированные никелевые кислотостойкие сплавы, содержат 18-22% Сr, 6% Mo, 6% Fe, 6% Сu, 3% W, 2% Al, 0,02% Ti.
материал, изготовленный из металлического порошка или из его смеси с неметаллическим порошком.