Дифракционный максимум
максимум интенсивности рассеянных рентгеновских луче.
локальный энергетический уровень полупроводника, для которого процессы рекомбинации и возврата в разрешенную зону в результате тепловых колебаний решетки равновероятны.
максимум интенсивности рассеянных рентгеновских луче.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
полимер стирола.