Ангстрем
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
Концентрация вырождения полупроводника
Предмет
Материаловедение
👍 Проверено
Автор24
минимальная концентрация носителей заряда, соответствующая вырождению полупроводника при данной температуре.
Научные статьи на тему «Концентрация вырождения полупроводника»
Принцип Паули, статистика Ферми-Дирака, полупроводники
нуля полупроводник становится изолятором....
Такая зависимость проводимости от температуры объяснятся тем, что концентрация носителей тока в металлах...
В полупроводниках ширина запрещенной зоны меньше, чем в диэлектриках....
Но у полупроводников существует и другой способ проводить ток....
Пример 2
Задание: Чему равна полная энергия электронного газа (W) вблизи абсолютного нуля температур (вырожденный
Статья от экспертов
Влияние вырожденных носителей на сужение ширины запрещенной зоны Si
Рассматриваются различные механизмы, вызывающие сужение запрещенной зоны в сильно нагретом кремнии. В области высоких температур становится необходимым использование квантовой статистики ФермиДирака для описания носителей, поскольку химический потенциал кремния оказывается в валентной зоне и зоне проводимости при высоких концентрациях носителей. Показано, что в условиях достаточно сильного нагрева собственного полупроводника вырождение носителей вызывает сильное сужение ширины запрещенной зоны. Полученные значения сужения ширины запрещенной зоны сравниваются с экспериментальными результатами.
Creative Commons
Научный журнал
Получение гетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Определение 1
Гетероструктура – это выращенная на подложке слоистая структура из разнообразных полупроводников...
Между разными материалами формируется гетеропереход, где существует вероятность присутствия повышенной концентрации...
носителей, из-за происходит формирование вырожденного двумерного электронного газа....
Гетероструктуры предоставляют возможность управления фундаментальными параметрами в кристаллах полупроводников
Статья от экспертов
Еще термины по предмету «Материаловедение»
Индексы Лауэ
индексы отражающей плоскости n -порядка.
Порошковый материал
материал, изготовленный из металлического порошка или из его смеси с неметаллическим порошком.
- Вырожденный полупроводник
- Вырожденность
- Вырождение
- Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника
- Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника
- Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника
- Критическая концентрация электронов проводимости полупроводника
- Равновесная концентрация носителей заряда полупроводника
- Собственная концентрация носителей заряда полупроводника
- Вырожденная структура
- Вырожденная матрица
- Вырожденное решение
- Вырожденный код
- Параметр вырождения
- Полупроводники
- Полупроводник
- Концентрация
- Вырожденность генетического кода
- Акцепторный полупроводник
- Донорный полупроводник
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек