Зона равноосных кристаллов
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны.
запрещенной зоны, представляющая собой энергетический зазор между потолком валентной зоны и дном зоны проводимости...
Собственная концентрация носителей, представляющая собой концентрацию свободных электронов, а также дырок...
в собственном полупроводнике при установленной температуре....
концентрации....
Тепловая генерация заряда происходит при увеличении температуры до определенного критического значения
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
полимер стирола.
полимер этилена [этена].