Индексы Лауэ
индексы отражающей плоскости n -порядка.
концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны.
запрещенной зоны, представляющая собой энергетический зазор между потолком валентной зоны и дном зоны проводимости...
Собственная концентрация носителей, представляющая собой концентрацию свободных электронов, а также дырок...
в собственном полупроводнике при установленной температуре....
концентрации....
Тепловая генерация заряда происходит при увеличении температуры до определенного критического значения
индексы отражающей плоскости n -порядка.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
полимеризация, при которой мономер (газ, жидкость или твердое вещество) находится в однородной фазе без растворителя или дисперсионной среды.