Зона проводимости полупроводника
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
параметр резиста, количественно характеризующий способность формирования микроизображения элементов рисунка с минимально возможными геометрическими размерами.
Представлены результаты исследования влияния параметров фокусированного ионного пучка на технологические операции локального ионно-лучевого травления и ионно-стимулированного осаждения материалов из газовой фазы для формирования элементов вакуумной автоэмиссионной наноэлектроники. Разработана конструкция вакуумной автоэмиссионной ячейки, состоящая из системы катод-анод, форма которых обеспечивает, с одной стороны, высокую надежность и эффективность работы, а с другой стороны, позволяет применять технологии ионно-лучевого травления и ионно-стимулированного осаждения для формирования герметичных ячеек в едином вакуумном технологическом цикле. Применение элементов вакуумной электроники перспективно с точки зрения достижения высокой радиационной стойкости и высокого быстродействия элементов. Создание наноразмерных структур катода и анода, а также обеспечение сверхмалого межэлектродного расстояния позволяет добиться существенного снижения энергопотребления устройств и повысить плотность ...
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
индексы отражающей плоскости n -порядка.
увеличениe содержания углерода в поверхностном слоe металла (изделия).
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве