Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
модель дифракционной структуры которой синтезирована в результате численного моделирования голографического процесса в схеме записи, при этом источник объектной волны и точечный источник опорной волны расположены в одной плоскости перед или за линзой, но не совпадающей с передней фокальной плоскостью линзы, а дифракционная структура регистрируется в задней фокальной плоскости линзы.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве