Изоформинг
термомеханическая обработка стали, проводимая во время превращения аустенита в перлит.
Эпитаксия, эпитаксиальная кристаллизация
Предмет
Материаловедение
Разместил
🤓 GeneHurlbu
👍 Проверено Автор24
ориентированное нарастание слоя одной кристаллической фазы на определенным образом ориентированной монокристаллической подложке - другой кристаллической фазе; различают гомоэпитаксию - ориентированное нарастание эпитаксиального слоя на подложке при небольшом различии составов подложки и слоя (на доли процента) и гетероэпитаксию - ориентированное нарастание кристаллического слоя на „чужой” подложке в большинстве случаев при абсолютном различии составов подложки и слоев.
Научные статьи на тему «Эпитаксия, эпитаксиальная кристаллизация»
Получение гетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Молекулярно-пучковая (лучевая) эпитаксия....
Молекулярно-пучковая эпитаксия
Определение 2
Молекулярно-пучковая эпитаксия – это эпитаксиальный...
Сущность такого процесса заключается в соиспарении материалов, из которых состоит эпитаксиальный слой...
, и легирующих смесей, в последующем их переносе на разогретую подложку и кристаллизации на ее поверхности...
эпитаксии являются:
Вакуумная камера.
Статья от экспертов
Газофазовая эпитаксия арсенида галлия
В обзоре представлены результаты исследований по кинетике роста и кинетике легирования эпитаксиального GaAs в усло виях газофазовой эпитаксии. Исследования выполнялись преимущественно в лаборатории эпитаксиальных структур СФТИ, а также совместно с сотрудниками предприятий электронной промышленности и институтов Академии наук СССР. Совокупность полученных данных позволяет построить модели роста и захвата примеси при кристаллизации GaAs из пара с участием транспортной химической реакции, а также разработать технологии латеральной эпитаксии и выращивания легированных слоев, необходимых для конкретных технических применений.
Creative Commons
Научный журнал
МЕХАНИЗМ ТОКОПРОХОЖДЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ P--SI--N--(SI2)1--X(CDS)X СТРУКТУРАХ
Показана возможность получения монокристаллического твердого раствора замещения p--Si--n--(Si2)1--x(CdS)x (0 ≤ x ≤ 0,01) на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии из Sn--Si--CdS раствора--расплава в атмосфере водорода, очищенного палладием. Получены наиболее совершенные эпитаксиальные слои с зеркальными поверхностями и с наилучшими параметрами при следующих условиях технологического режима: температура начала кристаллизации 1100 °С; скорость принудительного охлаждения 1 град/мин. Толщина выращенных эпитаксиальных пленок 20 мкм, n-тип проводимости с удельным сопротивлением 0,018 Ом·см. Результаты исследования механизмов переноса тока в p--Si--n--(Si2)1--x(CdS)x структурах при комнатной температуре показывают, что вольт-амперная характеристика в прямом направлении состоит из нескольких характерных участков, а процессы токопрохождения определяются различными механизмами. При малых плотностях тока его рост объясняется увеличением концентрации инжектированных носителей за сче...
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Материаловедение»
Линейная скорость роста
скорость увеличения линейного размера кристалла.
Окалиностойкость
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.
- Эпитаксия
- Кристаллизация
- Эпитаксия (Epitaxis)
- Эпитаксиальная дислокация
- Эпитаксиальный переход
- Температура кристаллизации, точка кристаллизации
- Кристаллизация белка
- Вторичная кристаллизация
- Кристаллизация металлов
- Скорость кристаллизации
- Текстура кристаллизации
- Теплота кристаллизации
- Центр кристаллизации
- Первичная кристаллизация
- Эпитаксиальная ферритовая пленка
- Вторичная кристаллизация стали
- Зародыш, центр кристаллизации
- Скрытая теплота кристаллизации
- Теоретическая температура кристаллизации
- Центры (зародыши) кристаллизации
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
