электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием (эпитаксиальное наращивание - создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки).
Алферова стали гетерогенные переходы в полупроводниках. Идея гетеропереходов существовала давно....
При таком переходе контактируют два разных по химическому составу полупроводника, обладающих разной шириной...
в котором размеры элементарных ячеек кристаллических решеток разных полупроводников, участвующих в переходе...
В этой связи в эпитаксиальных монокристаллических гетеропереходах в такой системе материалов можно ожидать...
Солнечные преобразователи были получены при выращивании эпитаксиальных слоев твердых растворов AlAs-GaAs
В эпитаксиальных пленках железоиттриевого граната, полученных из слабодиссоциированного раствора-расплава, обнаружена слабая спонтанная намагниченность в диапазоне температур, существенно превышающем температуру Нееля ( ТN ). В температурных интервалах 720°К-750°К и 1100°К-1130°К обнаружены магнитные переходы, имеющие инверсный характер. Спонтанная намагниченность и инверсные магнитные переходы возникают в результате специфики кристаллизации пленок.
Электронно-дырочный переход: методы формирования и применение
Определение 1
Электронно-дырочный...
переход — это область, в которой соприкасаются два полупроводника с разными типами проводимости: дырочной...
,
эпитаксиальное наращивание....
Суть эпитаксиального наращивания заключается в разложении химических соединений с примесью легирующих...
Полупроводниковые диоды классифицируются по:
Размеру перехода.
Показано, что переход на дискретные источники позволяет применять метод вакуумных микроразмерных ростовых ячеек для получения слоев вещества, находящегося при температуре испарения в жидком состоянии. Осуществлена оптимизация геометрических параметров плоской сетки локальных источников германия, обеспечивающей формирование однородных эпитаксиальных слоев соединения GexSi1-x.
насос, встроенный внутрь оболочки генераторной (модуляторной, регулирующей) лампы или соединенный с нею при помощи неразъемного соединения и предназначенный для поддержания в ней необходимого вакуума.
фильтр высших гармоник, состоящий из пассивных звеньев типа LС-цепей, настроенных в резонанс на соответствующую rармонику тока (напряжения), и активных силовых фильтров.
мощность, подводимая к излучателю лазера.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве
