Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
монокристаллическая пленка феррита, синтезированная на ориентирующую подложку.
Рассмотрено конструкцию СВЧ фильтра на основе диэлектрического резонатора с планарной структурой эпитаксиальная немагнитный диэлектрик/ферритовая пленка/пьезоэлектрик. Продемонстрирована возможность двойной перестройки рабочих характеристик фильтра как с помощью магнитного поля, так и электрическим напряжением, за счет магнитострикционного вклада в поле одноосной магнитной анизотропии эпитаксиальной ферритовой пленки.
На примере линии задержки показана возможность применения принципа декомпозиции для построения математических моделей микроволновых устройств на основе использования магнитостатических волн (МСВ) в намагниченных эпитаксиальных ферритовых пленках, что позволяет на единой методической основе и с наименьшими затратами на экспериментальную отработку разрабатывать МСВ устройства различного функционального назначения
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
набор из символов принятого алфавита.
емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.