Справочник от Автор24
Найди эксперта для помощи в учебе
Найти эксперта
+2

Аморфная пленка

Предмет Материаловедение
Разместил 🤓 roman-bogdanov-1976
👍 Проверено Автор24

тонкая пленка в аморфном состоянии, как правило формирующаяся на металлической поверхности.

Научные статьи на тему «Аморфная пленка»

Производство полиамидов

Полиамиды взаимодействуют с окружающей средой, обратимо впитывая влагу, вода в данном случае собирается в аморфных...
в народном хозяйстве полиамиды могут быть использованы в качестве клея и пленки; в пищевой промышленности

Статья от экспертов

Кинетика кристаллизации в аморфных пленках AgInS2

Кинематической электронографией исследована кинетика фазовых превращений, протекающих в аморфных пленках AgInS2, полученных вакуумным осаждением как в условиях отсутствия каких-либо внешних воздействий, так и при воздействии на молекулярный пар электрического поля, напряженностью 2000 В см-1. Определена мерность роста кристалликов, образующихся при кристаллизации аморфных пленок AgInS2, равная двум, а также энергия активации зародышеобразования Е3=48,2 ккал/моль и энергия активации роста кристалликов Еp=38,4 ккал/моль. Электрическое поле способствует получению аморфных пленок с более устойчивым состоянием.

Научный журнал

Тепловые свойства наноматериалов

современных наноматериалов: нанокристаллы, нанокластеры, нанопористые структуры, наноструктурированные пленки...
квантовые точки; одномерные - нанотрубки и квантовые проводники; двумерные - поверхности разделов и тонкие пленки...
Температура размягчения, которая определяется для материалов с аморфной структурой, переходящих из твердого

Статья от экспертов

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В АМОРФНЫХ ПЛЕНКАХ A-SI0,80GE0,20:HX

Some parameters of amorphous a-Si0.80Ge0.20:Hx thin films and solar Pt/a-Si0.80Ge0.20:Hx - cells (where x=1, 9;14 at. % and 21 at. % ) with pin-structure in which i-layer has been prepared from amorphous a-Si0.80Ge0.20:Hx (with x = 21 at. % ) are considering in this paper. Current-voltaic (I-V) characteristics under lightening and dark have been investigated. The C-V characteristics have also been considered in the paper and diode's capacity has been measured. The some important characteristics, such as diode's barrier height (φB), the expanse charge layer width (WB), diode quality factor (n' & n) measured both under illumination and dark and coefficient of efficiency (η) for each of the elements has been calculated. It has been determined that the biggest efficiency coefficient gets pin-structure the value of which at square surface S = 0,7 cm2 equals n = 6,5 %.

Научный журнал

Еще термины по предмету «Материаловедение»

Окалинообразованиe

образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.

🌟 Рекомендуем тебе

Окалиностойкость

способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.

🌟 Рекомендуем тебе
Смотреть больше терминов

Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!

  1. Напиши термин
  2. Выбери определение из предложенных или загрузи свое
  3. Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
Все самое важное и интересное в Telegram

Все сервисы Справочника в твоем телефоне! Просто напиши Боту, что ты ищешь и он быстро найдет нужную статью, лекцию или пособие для тебя!

Перейти в Telegram Bot