Зона равноосных кристаллов
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
дислокация, которая возникает в кристалле при его росте на подложке в результате несоответствия кристаллических решеток кристалла и подложки.
Рассматривается возможность применения концепции дипольного упрочнения эпитаксиальных феррошпинелей при внешних воздействиях, а также при релаксации гетероэпитаксиальных и термических напряжений в процессе синтеза и охлаждения. Проведено сопоставление теории и эксперимента для движения дислокаций в электрическом поле и поле внешних деформаций. Показано, что энергия активации движения дислокаций U~0,5эв, удовлетворительно совпадает с энергией связи дислокаций с примесями, а экспериментально найденная линейная плотность заряда на дислокациях ~10Кл мс - расчетной по теории Эшелби.
Рассматривается теория влияния флуктуаций состава твердого раствора на кинетику движения дислокаций несоответствия в эпитаксиальных слоях (SiC)1-x(AlN)x. Установлено, что из-за влияния флуктуаций состава твердого раствора происходит изменение закономерностей движения дислокаций по сравнению с однородным полупроводниковым материалом.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.