Эпитаксия

Предмет Металлургия

👍 Проверено Автор24

рост кристаллов при электролизе или из паровой фазы, при котором ориентация образующихся отложений непосредственно связана кристаллическими ориентациями в основной кристаллической решетке.

Научные статьи на тему «Эпитаксия»

Наноэлектроника

К данным методам относятся Химическое осаждение из газовой фазы, молекулярно-лучевая эпитаксия....
Молекулярно-лучевая эпитаксия аналогичная химическому осаждению из газовых сфер, единственное отличие

Статья от экспертов

Газофазовая эпитаксия арсенида галлия

В обзоре представлены результаты исследований по кинетике роста и кинетике легирования эпитаксиального GaAs в усло виях газофазовой эпитаксии. Исследования выполнялись преимущественно в лаборатории эпитаксиальных структур СФТИ, а также совместно с сотрудниками предприятий электронной промышленности и институтов Академии наук СССР. Совокупность полученных данных позволяет построить модели роста и захвата примеси при кристаллизации GaAs из пара с участием транспортной химической реакции, а также разработать технологии латеральной эпитаксии и выращивания легированных слоев, необходимых для конкретных технических применений.

Creative Commons

Научный журнал

Получение гетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Молекулярно-пучковая (лучевая) эпитаксия....
Молекулярно-пучковая эпитаксия Определение 2 Молекулярно-пучковая эпитаксия – это эпитаксиальный...
При молекулярно-пучковой эпитаксии химические элементы, из которых состоит растущая пленка, поступают...
К основным преимуществам метода молекулярно-пучковой эпитаксии относятся: возможность роста пленок в...
эпитаксии являются: Вакуумная камера.

Статья от экспертов