ориентированное нарастание слоя одной кристаллической фазы на определенным образом ориентированной монокристаллической подложке - другой кристаллической фазе; различают гомоэпитаксию - ориентированное нарастание эпитаксиального слоя на подложке при небольшом различии составов подложки и слоя (на доли процента) и гетероэпитаксию - ориентированное нарастание кристаллического слоя на „чужой” подложке в большинстве случаев при абсолютном различии составов подложки и слоев.
Молекулярно-пучковая (лучевая) эпитаксия....
Молекулярно-пучковая эпитаксия
Определение 2
Молекулярно-пучковая эпитаксия – это эпитаксиальный...
Сущность такого процесса заключается в соиспарении материалов, из которых состоит эпитаксиальный слой...
, и легирующих смесей, в последующем их переносе на разогретую подложку и кристаллизации на ее поверхности...
эпитаксии являются:
Вакуумная камера.
В обзоре представлены результаты исследований по кинетике роста и кинетике легирования эпитаксиального GaAs в усло виях газофазовой эпитаксии. Исследования выполнялись преимущественно в лаборатории эпитаксиальных структур СФТИ, а также совместно с сотрудниками предприятий электронной промышленности и институтов Академии наук СССР. Совокупность полученных данных позволяет построить модели роста и захвата примеси при кристаллизации GaAs из пара с участием транспортной химической реакции, а также разработать технологии латеральной эпитаксии и выращивания легированных слоев, необходимых для конкретных технических применений.
Показана возможность получения монокристаллического твердого раствора замещения p--Si--n--(Si2)1--x(CdS)x (0 ≤ x ≤ 0,01) на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии из Sn--Si--CdS раствора--расплава в атмосфере водорода, очищенного палладием. Получены наиболее совершенные эпитаксиальные слои с зеркальными поверхностями и с наилучшими параметрами при следующих условиях технологического режима: температура начала кристаллизации 1100 °С; скорость принудительного охлаждения 1 град/мин. Толщина выращенных эпитаксиальных пленок 20 мкм, n-тип проводимости с удельным сопротивлением 0,018 Ом·см. Результаты исследования механизмов переноса тока в p--Si--n--(Si2)1--x(CdS)x структурах при комнатной температуре показывают, что вольт-амперная характеристика в прямом направлении состоит из нескольких характерных участков, а процессы токопрохождения определяются различными механизмами. При малых плотностях тока его рост объясняется увеличением концентрации инжектированных носителей за сче...
процесс получения пленки в виде бесшовного рукава путем раздувания газом (обычно воздухом) горячей трубчатой заготовки, полученной экструзией расплава полимера через кольцевую экструзионную головку.
химическоe соединениe элемента с кислородом.
диэлектрик, содержащий электрические диполи, способные к переориентации во внешнем электрическом поле.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве
