Дисперсионное уравнение для поверхностных поляритонов
Выбери формат для чтения
Загружаем конспект в формате pdf
Это займет всего пару минут! А пока ты можешь прочитать работу в формате Word 👇
Лекция N 19
Анализ дисперсионного уравнения для поверхностных
поляритонов на границе реальных кристаллов
1.Введение
На прошлой Лекции N 18 мы получили дисперсионное уравнение для
поверхностных поляритонов в безразмерном виде:
∥
=
⋅
+
−
−
⋅
(1)
Здесь введены безразмерные величины:
∥
=
∥
,
=
,
=
=
Ω
(2)
Мы проведем совместный анализ дисперсионных кривых поверхностных и
объемных поляритонов для реальных кристаллов: LiF, SiO2-1, SiO2-2.
Для этого, напомним дисперсионное уравнение для объемных поляритонов,
полученное нами ранее:
= ( )
(3)
−
−
(4)
где
( )=
Приведем дисперсионное уравнение (3) к безразмерному виду:
=
⋅
−
1−
(5)
Здесь:
=
(6)
Мы применим полученные результаты для анализа дисперсионных кривых
для реальных кристаллов.
2.Анализ
дисперсионных
кривых
поверхностных
и
объемных
поляритонов для кристалла LiF
Для этого кристалла резонанс происходит на частоте
остальные параметры:
= 9.27 ,
= 1928
,
= 1.92.
На приведенных ниже графиках по оси абсцисс отложена относительная
частота u=
, а вдоль оси ординат – величина n=
объемного поляритона и
∥
=
∥
для случая
– для поверхностного.
На Рисунке 1 показаны дисперсионные кривые для кристалла LiF.
Рассчитанные значения параметров
и
приведены в Таблице 1:
Таблица 1
uL
2,197299
uS
1,8754
12
10
8
6
n||
n
4
2
0,47
0,64
0,81
0,98
1,14
1,31
1,48
1,65
1,82
1,99
2,16
2,33
2,49
2,66
2,83
3,00
3,17
3,34
3,51
3,68
3,84
4,01
4,18
4,35
4,52
4,69
4,86
5,03
Рисунок 1. Дисперсионные кривые для поверхностных и объемных
поляритонов для кристалла LiF.
Анализ дисперсионных кривых
Мы видим из Рисунка 1, что поверхностный поляритон (для него
дисперсионная кривая на Рисунке 1 имеет синий цвет) на границе данного
кристалла с воздухом существует в области частот:
=1<
<
= 1,8754
(7)
Здесь
=
=1
Это условие (7), как мы показали ранее, обеспечивает, во-первых,
отрицательность диэлектрической проницаемости
( ) кристалла, во-
вторых, выполнение условия, при котором модуль диэлектрической
проницаемости превышает единицу:
| ( )| > 1
(8)
Следовательно, наш расчет полностью подтверждает проведенный ранее
теоретический
анализ
дисперсионных
характеристик
поверхностных
поляритонов.
Теперь переходим к анализу дисперсионной кривой объемных поляритонов
для данного кристалла. Как мы знаем, для них существует запрещенная зона
=1<
<
= 2,197299
(9)
Из Рисунка 1 видно, что действительно в этом диапазоне частот мы имеем
нулевые значения для n, что как раз и говорит о том, что в этой области
частот объемный поляритон не существует.
⟹Замечательной
особенностью
приведенных
на
Рисунке
1
дисперсионных характеристик объемных и поверхностных поляритонов
является то, что поверхностные поляритоны существуют в запрещенной
для объемных поляритонов области.
Этот вывод носит общий характер и справедлив для всех кристаллов,
имеющих фононный или экситонный резонанс.
3.Анализ
дисперсионных
кривых
поверхностных
и
объемных
поляритонов для кристалла SiO2-1
Для этого кристалла резонанс происходит на частоте
остальные параметры:
= 4.6 ,
= 399
,
= 1.9.
На Рисунке 2 показаны дисперсионные кривые для кристалла SiO2-1.
Рассчитанные значения параметров
и
приведены в Таблице 2:
Таблица 2
uL
1,555973
uS
1,389617
12
10
8
n
6
n||
4
2
0,35
0,47
0,60
0,72
0,85
0,97
1,10
1,22
1,35
1,47
1,60
1,72
1,85
1,97
2,10
2,22
2,35
2,47
2,60
2,72
2,85
2,97
3,10
3,22
3,35
3,47
3,60
3,72
Рисунок 2. Дисперсионные кривые для поверхностных и объемных
поляритонов для кристалла SiO2-1
Анализ дисперсионных кривых
Мы видим из Рисунка 2, что поверхностный поляритон (для него
дисперсионная кривая на Рисунке 2 имеет синий цвет) на границе данного
кристалла с воздухом существует в области частот:
=1<
Это
условие
проницаемости
(10)
<
= 1,389617
обеспечивает,
отрицательность
(10)
диэлектрической
( ) кристалла, а также выполнение условия, при котором
модуль диэлектрической проницаемости превышает единицу.
Теперь переходим к анализу дисперсионной кривой объемных поляритонов
для данного кристалла. Как мы знаем, для них существует запрещенная зона
=1<
<
= 1,555973
(11)
Из Рисунка 2 видно, что действительно в этом диапазоне частот мы имеем
нулевые значения для n, что опять говорит о том, что в этой области частот
объемный поляритон не существует.
Интересно отметить, что
⟹в области частот
= ,
<
<
= ,
(12)
не существует ни объемного, ни поверхностного поляритона.
Причина заключается в том, что в этой области диэлектрическая
проницаемость кристалла
( ) остается отрицательной и поэтому
объемный поляритон не существует.
Для поверхностного поляритона первое условие его существования
выполнено ( ( ) < 0) , однако второе | ( )| > 1 - нарушено. Поэтому
его также не будет в этой области.
4.Анализ
дисперсионных
кривых
поверхностных
и
объемных
поляритонов для кристалла SiO2-2
Для этого кристалла резонанс происходит на частоте
остальные параметры:
= 4.03 ,
= 450
,
= 3.17.
На Рисунке 3 показаны дисперсионные кривые для кристалла SiO2-2.
Рассчитанные значения параметров
и
приведены в Таблице 3:
Таблица 3
uL
1,127516
uS
1,098287
12
10
8
6
n||
n
4
2
0,27
0,37
0,47
0,57
0,67
0,77
0,87
0,97
1,07
1,16
1,26
1,36
1,46
1,56
1,66
1,76
1,86
1,95
2,05
2,15
2,25
2,35
2,45
2,55
2,65
2,75
2,84
2,94
Рисунок 3. Дисперсионные кривые для поверхностных и объемных
поляритонов для кристалла SiO2-2
Анализ дисперсионных кривых
Мы видим из Рисунка 3, что поверхностный поляритон (для него
дисперсионная кривая на Рисунке 3 имеет синий цвет) на границе данного
кристалла с воздухом существует в области частот:
=1<
Это
условие
проницаемости
(13),
<
обеспечивает
= 1,098287
отрицательность
(13)
диэлектрической
( ) кристалла, а также выполнение условия, при котором
модуль диэлектрической проницаемости превышает единицу.
Теперь переходим к анализу дисперсионной кривой объемных поляритонов
для данного кристалла. Как мы знаем, для них существует запрещенная зона
=1<
<
= 1,127516
(14)
Из Рисунка 3 видно, что действительно в этом диапазоне частот мы имеем
нулевые значения для n, что опять говорит о том, что в этой области частот
объемный поляритон не существует.
Следует отметить, что для кристалла SiO2-2 запрещенная область и
область существования поверхностных поляритонов значительно уже,
чем для предыдущих кристаллов LiF и SiO2-1.
⟹ В области частот
= ,
<
<
= ,
(15)
не существует ни объемного, ни поверхностного поляритона.
Таким образом, в настоящей Лекции был проведен полный анализ
дисперсионных
кривых
поверхностных
и
объемных
поляритонов
в
кристаллах LiF, SiO2-1, SiO2-2. Представленный материал показывает
особенности этих возбуждений в конкретных кристаллах.