Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
температура, при которой магнитные моменты подрешеток ферримагнетика взаимно компенсируются.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
индексы отражающей плоскости n -порядка.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.