Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
коэффициент, описываю щий изменение электрического сопротивления от температуры; равен отношению производной электросопротивления по температуре к электросопротивлению.
Это объясняется одним важным параметром $α$ - температурным коэффициентом....
Температурный коэффициент используется в формула для расчета удельного сопротивления с учетом изменения...
температуры:
$ρ_t =ρ_0 • [1+α•(t-t_0)]$, где
$ρ_0$ - удельное сопротивление при 20 С*,
$α$ - температурный...
коэффициент,
$t-t_0$ - разница температур....
Температурный коэффициент сопротивления.
шунта удовлетворяло следующему выражению:
$Rш = Rи/(n-1)$
где n - коэффициент шунтирования....
Из ранее представленной схемы общий температурный коэффициент измерительного устройства может быть рассчитан...
по следующей формуле:
$В = (Вп*Rп+Вд*Rд) / Rп+Rд$
где: Bп - температурный коэффициент сопротивления...
измерительного устройства; Вд - температурный коэффициент сопротивления добавочного резистора....
Как правило, температурный коэффициент добавочного резистора стремится к нулю, поэтому можно считать
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве