Дифракционный контраст
контраст на изображении, возникающий вследствие дифракции излучения.
Скорость рекомбинации
Предмет
Материаловедение
👍 Проверено
Автор24
число носителей заряда, рекомбинирующих в единичном объеме полупроводника за единицу времени.
Научные статьи на тему «Скорость рекомбинации»
Токи в газах
Этот процесс носит название -- рекомбинация....
В результате рекомбинации проводимость газа возвращается к первоначальному значению....
Параллельно с процессом ионизации идет процесс рекомбинации....
образования ионов становится равной скорости рекомбинации....
Можем перейти к вычислениям минимальной скорости ионизации.
Статья от экспертов
Константа скорости рекомбинации в двухтемпературных моделях газовой кинетики
На основе сравнения уровневых и модовых моделей диссоциации и рекомбинации в колебательно возбужденном газе предложена аналитическая зависимость константы равновесия от температуры. Такая зависимость позволяет объяснить сдвиг химических реакций в сторону продуктов распада в неравновесном газе.
Creative Commons
Научный журнал
Физические основы электроники
Подвижность носителей, представляющая собой скорость перемещения носителей, в условиях воздействия электрического...
Генерация носителей заряда и рекомбинация
Генерация носителей заряда представляет собой процесс образования...
Рекомбинация представляет собой процесс возвращения свободных носителей заряда в связанное состояние....
Механизм рекомбинации реализовывается в зависимости от того, как расходуется энергия, которая выделяется
Статья от экспертов
ПРИМЕНЕНИЕ ЭФФЕКТА МАГНИТОПЛАЗМЕННОГО ОТРАЖЕНИЯ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СКОРОСТИ ПОВЕРХНОСТНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
В данной работе предлагается оценивать скорость поверхностной рекомбинации в w-Si в стационарном режиме по измеренным значениям интенсивности фотовозбуждающего источника и концентрации избыточных носителей заряда в приповерхностной области полупроводникового слоя. Для фотовозбуждения кремниевой пластины w-Si толщиной 0,5 мм применялось излучение лазерного диода. Концентрация носителей в приповерхностной облучаемой области полупроводниковой пластины определялась по резонансной частоте магнитоплазменного поглощения зондирующего излучения миллиметрового диапазона, при которой наблюдается минимальное пропускание. Показано, что данная частота включает в себя плазменную и циклотронную составляющие. Резонанс достигался путем изменения индукции поперечного магнитного поля в области образца на фиксированной частоте зондирования. Значение скорости поверхностной рекомбинации, рассчитанное с использованием резонансных значений частоты и магнитной индукции, составляет 25 м/с, что находится в удо...
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Материаловедение»
Зеркало
изделие из прозрачного стекла, на поверхность которого последовательно нанесены отражающее металлическое и защитное лакокрасочное покрытия, характеризующееся высоким коэффициентом отражения света.
Полиэфиропласт
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.
- Рекомбинация
- Кроссинговер (рекомбинация)
- Генетическая рекомбинация
- Гомологичная рекомбинация
- Доля рекомбинации
- Реакция рекомбинации
- Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника
- Горячая точка рекомбинации
- Сайт-специфическая рекомбинация
- Кроссинговер (рекомбинация, перекрест)
- Скорость
- Частота рекомбинаций (рекомбинационный индекс)
- Рекомбинация носителей заряда полупроводника
- Частота рекомбинаций, рекомбинационный индекс
- Скорость поршня, скорость плунжера
- Участковая скорость
- Ходовая скорость
- Безопасная скорость
- Скорость испарения
- Отслеживание скорости
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек