Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
векторная величина, характеризующая степень электрической поляризации вещества, равная пределу отношения электрического момента некоторого объема вещества к этому объему, когда последний стремится к нулю.
Получается, что для неполярных молекул вектор поляризованности можно определить, как:
\[\overrightarrow...
Формула поляризованности для полярных молекул
Формула поляризованности для полярных молекул имеет...
У диэлектриков с полярного типа молекулами, вклад в поляризованность от наведенных зарядов много меньше...
Заметим, что вакуум можно рассматривать как диэлектрик, поляризованность которого равна нулю....
Ответ: Объемная плотность зарядов при заданном векторе поляризованности равна нулю.
В статье проанализирована необходимость рассмотрения инновационных процессов в условиях смены парадигмы пространственного развития национальных экономик. Авторами предпринята попытка выявления инновационных детерминант неравномерности экономического пространства.
В результате получается, что средняя поляризованность всего объема сегнетоэлектрика равна нулю....
Таким образом, процесс поляризованности сегнетоэлектрика во внешнем поле состоит в переориентации дипольных...
Поляризованность отстает от $\overrightarrow{E}$. Присутствует явление гистерезиса....
При обращении напряженности в ноль, в сегнетоэлектрике существует остаточная поляризованность....
В точке Кюри спонтанная поляризованность исчезает, а диэлектрическая проницаемость достигает своего максимума
Исследовано прямое ускорение электронов остр о сфокусированным сверхмощным лазерным импульсом радиальной поляризации в ультрарелятивистском режиме. Изучен режим, при котором размер пятна фокусировки оказывается одного порядка с длиной волны лазерного излучения. Расчет электромагнитных полей производился с помощью точных дифракционных интегралов Страттона-Чу. Расчеты показали, что, как и для случая линейной поляризации, чрезвычайно острая фокусировка (в дифракционный предел) не является оптимальной для ускорения электронов, несмотря на наличие сильного аксиального поля именно в случае субмикронного лазерного пятна. В то же время случай умеренной фокусировки является более привлекательным для ускорения электронов.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
электрическая цепь, которая может проявлять резонанс.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве