Дифракционный контраст
контраст на изображении, возникающий вследствие дифракции излучения.
наибольшее значение поляризованности сегнетоэлектрика, соответствующее началу участка насыщения; участок насыщения - часть петли диэлектрического гистерезиса, где две ее ветви сходятся вместе.
гистерезис -- неоднозначную зависимость поляризованности ($\overrightarrow{P}$) от напряженности внешнего...
Так как сегнетоэлектрик обладает доменной структурой, дипольный момент кристалла сегнетоэлектрика в отсутствии...
Отрезок ОС характеризует остаточную поляризованность, то есть ту, которую образец сегнетоэлектрика имеет...
Отрезок $OB'$ характеризует напряженность, имеющую противоположное поляризованности направление, при...
повышении напряженности обратного поля происходит переполяризация доменов (изменение знака) и в дальнейшем насыщению
контраст на изображении, возникающий вследствие дифракции излучения.
квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации.
изменение линейных размеров тел при изменении температуры.