Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
химико-термическая обработка, заключающаяся в диффузионном насыщении поверхностного слоя металла (изделия) несколькими элементами.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
индексы отражающей плоскости n -порядка.
трещина в прессовке, возникающая в процессе прессования порошка.