Водопоглощение диэлектрика
количество воды, поглощаемое диэлектриком в водной среде.
пленка, состоящая преимущественно из оксидов металла.
Работа посвящена сравнению особенностей формирования окисных микроструктур при прямой лазерной записи на тонких (порядка 100 нм) пленках циркония, напыленных на подложки из стекла и плавленого кварца, с целью выявления наиболее стабильных и прогнозируемых режимов записи. Было зарегистрировано наличие самоиндуцированных оксидных квазипериодических структур при непрерывной лазерной записи на пленках циркония, напыленных на подложки из стекла. Выявлен эффект образования наноструктур, представляющих собой параллельные трещины в оксидном слое и имеющие период, равный шагу записи (250-500 нм), формирующихся в процессе записи на пленках циркония, нанесенных на кварцевую подложку. Показаны преимущества плавленого кварца как материала подложки при прямой лазерной записи на пленках циркония, благодаря более высокой по сравнению со стеклом температуре размягчения.
количество воды, поглощаемое диэлектриком в водной среде.
охлаждение после нагрева производится в расплаве щелочей при температуре немного выше температуры начала образования мартенсита, но до начала распада аустенита, а затем в воде или на воздухе.
химическоe соединениe элемента с кислородом.